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二乙基硅烷是一種硅烷試劑，有文獻報道其可用于制備沉積金屬硅酸鹽膜的硅源。
二乙基硅烷作為沉積金屬硅酸鹽膜的硅源。一種形成作為電子器件中高k電介質的金屬硅酸鹽的方法，包括步驟：提供二乙基硅烷至反應區；同時提供氧源至該反應區；同時提供金屬前驅體到該反應區；通過化學氣相沉積使該二乙基硅烷、氧源和金屬前驅體發生反應，以在包括該電子器件的襯底上形成金屬硅酸鹽。該金屬優選為鉿、鋯或其混合物。該金屬硅酸鹽膜的介電常數可以基于膜中的金屬、硅、和氧的相對原子濃度進行調節。
一種形貌可控的油溶性鈀納米材料的制備方法，所述制備方法如下：(1)配置溶解在氯仿溶劑中的醋酸鈀前驅體溶液，鈀鹽與氯仿質量比為1:1000～2500；(2)向步驟(1)得到的氯仿溶液中加入油胺和油酸作為保護劑，使醋酸鈀、油胺、油酸的質量比為1:1.33～4.0:1.48～4.45；(3)向步驟(2)得到的氯仿溶液中進一步加入二乙基硅烷，使醋酸鈀與二乙基硅烷的質量比為1:1，該溶液在室溫下攪拌反應2～8小時，獲得鈀納米顆粒氯仿溶液；(4)向鈀納米顆粒氯仿溶液中加入甲醇，離心得到黑色鈀納米顆粒沉淀。本發明反應條件溫和，制備過程簡單，易于規模化生產，生產周期短，獲得的鈀納米顆粒粒徑分布均勻，穩定性高，可溶于油相溶劑。
CN201410109233.5提供層疊型半導體元件的制造方法、層疊型半導體元件及其制造裝置。具備下述步驟：層疊膜形成步驟，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基環四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一種在半導體基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通過氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重復多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半導體基板上形成交替配置多個氧化硅膜與多個氮化硅膜的層疊膜；氮化硅膜蝕刻步驟，將構成層疊膜的氮化硅膜進行蝕刻；降低碳濃度的步驟，將氮化硅膜蝕刻步驟中沒有被蝕刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳濃度；以及電極形成步驟，在氮化硅膜蝕刻步驟中被蝕刻的區域形成電極。
CN201010148476.1公開一種多晶硅生產過程中的電子級硅烷精制提純的方法，包括如下步驟：1)將粗硅烷通入脫輕塔，塔的操作壓力1.8~2.5MPa，頂部溫度-120~-80℃，在塔頂除去氮氣、甲烷、氫氣；2)粗硅烷從塔底流出進入第一脫重塔，塔的操作壓力1.8~2.5MPa，頂部溫度-70~-40℃，在塔底除去乙烷、硼、磷等；3)從塔頂排出的硅烷進入串聯的吸附塔，塔的操作壓力均為1.6~2.3MPa，除去乙烯；4)硅烷進入第二脫重塔，塔的操作壓力1.6~2.3MPa，頂部溫度-70~40℃，除去乙基甲硅烷。本發明使精制提純后硅烷中氮氣、甲烷、氫氣的含量降到1.5×10-9以下；乙烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、乙烯、乙基甲硅烷、硼、磷的含量降到3.5×10-9以下，最終可將粗硅烷的純度提純至99.9999999%以上，滿足電子和半導體行業的使用要求。
CN201380024532.2描述了低溫加工的高質量含硅膜。還公開了在低溫下形成含硅膜的方法。在一個方面，提供了具有約2nm至約200nm的厚度和約2.2g/cm3或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通過選自化學氣相沉積(CVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、循環化學氣相沉積(CCVD)、等離子體增強循環化學氣相沉積(PECCVD)、原子層沉積(ALD)和等離子體增強原子層沉積(PEALD)的沉積工藝沉積，并且所述氣相沉積使用選自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它們的組合的烷基硅烷前體在約25℃至約400℃范圍的一個或多個溫度下進行。
CN202110416536.1提供一種改進環烷烴碳氫燃料及其低壓燃燒促進方法，具體的是：以甲基環己烷為基體燃料，添加二乙基硅烷對甲基環己烷低壓下的點火溫度和點火延遲時間進行調控。本發明方法所得的改性環烷烴碳氫燃料具有物理形態穩定，無分層，高熱值，燃料常溫環境下與空氣接觸具有良好的安定性等優點，通過對環烷烴碳氫燃料燃燒基元反應的定向調控實現對環烷烴碳氫燃料的低壓燃燒特性的調節，操作簡單，實用性強。該發明解決了碳氫燃料低壓調控困難的問題，為環烷烴碳氫燃料的低壓特性調控提供了解決方案，對于解決先進航空發動機低壓惡劣工況條件的可靠點火提供了技術儲備。
[1] CN200710128801.6二乙基硅烷作為沉積金屬硅酸鹽膜的硅源
[2] CN201910987698.3一種形貌可控的油溶性鈀納米材料的制備方法
[3] CN201410109233.5層疊型半導體元件的制造方法、層疊型半導體元件及其制造裝置
[4] CN201010148476.1一種多晶硅生產過程中的電子級硅烷精制提純的方法
[5] CN201380024532.2在薄膜晶體管器件上制備含硅膜的方法
[6]CN202110416536.1一種改進環烷烴碳氫燃料及其低壓燃燒促進方法