12006-15-4 / 砷化鎘的制備方法

背景及概述^[1]

砷化鎘化學式Cd3As2。分子量487.04。灰黑色立方系晶體。有毒!熔點721℃，相對密度6.2115。易溶于硝酸，微溶于鹽酸，不溶于水和王水。遇酸能釋放出AsH3，遇氧化劑則能燃燒。制法：通砷于硫酸鎘的弱氨溶液即得。如將鎘和砷在惰性氣體中加熱，得到的砷化鎘產物是淡紅色晶體，為非離子性結構。用途：作化學試劑。

制備^[2-5]

砷化鎘應用舉例如下：

1）制備一種基于砷化鎘薄膜的被動鎖模光纖激光器，采用環形腔結構，由波分復用器第二端、增益光纖(3)、隔離器(4)、光纖耦合器(5)、偏振控制器(6)、砷化鎘可飽和吸收體(7)、單模光纖、波分復用器第三端依次連接成環狀，隔離器的另一端連接光纖耦合器輸入端，光纖耦合器的第一輸出端作為脈沖激光輸出，第二輸出端在環路連接偏振控制器的第一端；偏振控制器另一端連接砷化鎘薄膜可飽和吸收體的一端，砷化鎘薄膜可飽和吸收體第二端和單模光纖第一端相連；泵浦源通過波分復用器的第一端即泵浦輸入端將泵浦光耦合注入稀土摻雜的增益光纖中，利用砷化鎘在近紅外及中紅外波段具有超快可飽和吸收特性，實現高脈沖能量鎖模脈沖輸出。

2）一種砷化鎘納米簇的制備方法，具體涉及一種可用于大量制備砷化鎘納米簇的合成方法。本發明利用砷化物與無機酸反應制取AsH3氣體，并同時將氣體通入到N2保護的羧酸鎘的十八稀溶液中進行反應，生成Cd3As2納米簇化合物。本發明制備的納米簇有著十分尖銳對稱的吸收及熒光峰，表現出較好的發光性質，具有良好的單分散性，整個反應操作簡單，所有反應物成本相對便宜且利于保存，并且可以大量合成，反應過程不使用有機磷。

3）一種利用分子束外延設備生長大尺寸砷化鎘薄膜的方法。本發明方法，利用云母作為襯底，首先生長碲化鎘作為緩沖層，利用砷化鎘非晶塊體材作為熱蒸發源，以較低溫度生長砷化鎘低溫緩沖層,隨后在較高溫度生長砷化鎘薄膜至所需厚度。本發明與現有技術相比，使用經濟的云母作為襯底，襯底處理工藝簡單，采用非晶砷化鎘蒸發源對設備要求低，工藝簡單可獲得晶圓級單晶薄膜，樣品尺寸可達兩英寸；薄膜單晶質量好，遷移率高。薄膜單晶質量好，遷移率高。

4）一種砷化鎘量子點的制備方法。本發明利用砷化物與無機酸反應制取AsH3氣體，并同時將制備的AsH3氣體通入到N2保護的羧酸鎘的十八稀溶液中進行反應，生成Cd3As2納米簇化合物，再以制得的Cd3As2簇為反應前體，以有機胺為配體，以十八烯為溶劑，在不同溫度下以熱注入的方法反應5~10分鐘即可得到不同尺寸的Cd3As2量子點。本發明制備的量子點有著較好的近紅外發光性質，有良好的單分散性，尺寸可調，光譜可調范圍寬，整個反應操作簡單，所有反應物成本相對便宜且利于保存，并且可以大量合成。

主要參考資料

[1]化合物詞典

[2] CN201710008206.2基于砷化鎘薄膜的被動鎖模光纖激光器

[3] CN201410191155.8一種砷化鎘半導體納米簇的制備方法

[4] CN201810377140.9一種利用分子束外延設備生長大尺度砷化鎘薄膜的方法

[5] CN201410191161.3一種砷化鎘量子點的制備方