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氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
氧化鎵在半導體領(lǐng)域的應用并不是一項嶄新的技術(shù)，在很多年前就有人對其展開了大量的研究，但這種材料原本不是用于功率元件的，最初是計劃用于LED（發(fā)光二極管）基板等而進行研發(fā)的。
Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。與Ga 2 O 3 的結(jié)晶生長及物性相關(guān)的研究大部分圍繞β結(jié)構(gòu)展開。研究人員曾試制了金屬半導體場效應晶體管，盡管屬于未形成保護膜鈍化膜的簡單結(jié)構(gòu)，但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結(jié)構(gòu)的元件時，通常難以達到這些樣品的指標。
具體來看，β- Ga2 O3 的帶隙很大，達到4.8eV，這一數(shù)值為Si的4倍多，而且也超過了SiC的3.3eV及GaN的3.4eV。一般情況下，帶隙大的話，擊穿電場強度也會很大。β- Ga2 O3 的擊穿電場強度估計為8MV/cm左右，達到Si的20多倍，相當于SiC及GaN的2倍以上。
除了材料性能優(yōu)異如帶隙比碳化硅和氮化鎵大，利用 Ga 2 O 3 作為半導體材料的主要原因是其生產(chǎn)成本較低。隨著氧化鎵晶體生長技術(shù)的突破性進展，氧化稼和藍寶石一樣，可以從溶液狀態(tài)轉(zhuǎn)化成塊狀（Bulk）單結(jié)晶狀態(tài)?？梢酝ㄟ^運用與藍寶石晶圓生產(chǎn)技術(shù)相同的EFG（Edge-defined Film-fed Growth）方法，做出氧化鎵晶圓，成熟的生產(chǎn)工藝會大幅度降低生產(chǎn)成本。
因為擁有如此多的優(yōu)勢，氧化鎵被看作一個比氮化鎵擁有更廣闊前景的技術(shù)。
據(jù)市場調(diào)查公司--富士經(jīng)濟于2019年6月5日公布的Wide Gap 功率半導體元件的全球市場預測來看，2030年氧化鎵功率元件的市場規(guī)模將會達到1542億日元（約人民幣92.76億元），這個市場規(guī)模要比氮化鎵功率元件的規(guī)模（1085億日元，約人民幣65.1億元）還要大！
氧化鎵作為一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領(lǐng)域的應用優(yōu)勢愈加明顯。但這并不意味著氧化鎵一定會取代SiC和GaN，后兩者可能仍是硅之后的下一代主要半導體材料，他們會在不同的半導體領(lǐng)域發(fā)揮自己的獨特優(yōu)勢。
氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。但在這之前，仍有很多工作要做。
[1]董林鵬.氧化鎵材料特性及光電探測器研究
[2]日本半導體的一張王牌.半導體觀察
[3]功率半導體氧化鎵到底是什么.電子產(chǎn)品世界
[4]郝躍院士談氧化鎵：致力于提供更高效的生活.半導體學報