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隨著半導體制造業的不斷發展，通過不斷的比較材料特性，尋找適合ALD和CVD使用的高k和金屬柵材料前驅物。對于32nm技術節點來講，材料的揮發性，輸運方式以及純度等問題變得至關重要。隨著信息存儲和獲取量的大幅提升，對于更高k值材料的需求也不斷升溫，這些材料遍布從氧化鋁到稀有金屬中任何可用的元素。
研究發現當柵氧厚度小于2nm時，漏電流將大幅提高，高介電常數材料由于可以允許更厚的柵介電材料，從而降低漏電流，并成為必需；選擇恰當的高k材料，可滿足介電常數、熱力學穩定性、柵極電極兼容和界面層穩定性等生產上的要求；通過更加深入地在元素周期表中搜索具有熱力學穩定性的可替代氮氧化物的柵介質材料，這些材料正是由鉿、 鋯以及稀有金屬化合物組成的。
研制二氯二茂類鋯化合物正是針對以上高K前驅體的用途而進行的。常規的合成法為先在低溫條件下用四氫呋喃做溶劑制備環戊二烯基鈉，再與四氯化鋯在溶劑的混合物反應制得目標產物。此方法在制備環戊二烯基鈉時，采用較低溫度的條件，因鈉不熔融，分散性差，同時環戊二烯在低溫條件下也容易聚合而導致反應產率偏低。還有報道的合成方法是將環戊二烯直接和四氯化鋯在二乙胺存在的條件下反應得到目標產物。此反應的產率較低，且使用了大量的二乙胺做溶劑，不僅給反應的后處理帶來困難，而且反應的成本也有所增加。
發明目的：本發明主要針對目前現有技術中二氯二茂基類鋯的合成方法的缺陷， 提供了一種改進的合成方法。該方法首先提高鈉的分散性，從而提高生成的環戊二烯基鈉的產率，然后和固體四氯化鋯在烷烴類溶劑中的懸浮液反應，不僅可以更高效地得到目標產物，還可以降低反應成本，簡化反應操作。
技術方案：二氯二茂類鋯的合成方法，工藝步驟為：環戊二烯解聚：在惰性氣氛下解聚環戊二烯，收集蒸餾得到的環戊二烯單體備用；在惰性氣氛下，將溶劑二甘醇醚和鈉絲加熱到120-16(TC，然后滴加環戊二烯單體，加完后反應4-8小時，得環戊二烯基鈉二甘醇醚溶液；向四氯化鋯固體的烷烴懸濁液中，滴加入制備好的上述環戊二烯基鈉溶液，15? 35°C下反應6-10小時；先在一個大氣壓下除去烷烴，再在30-70毫米汞柱的壓力下去除二甘醇醚，得暗灰色固體，將固體用索氏提取器提取，過濾提取液，減壓蒸去溶劑，冷卻后析出固體，得到目標產物。
所述環戊二烯基鈉和四氯化鋯的反應在20?30°C下進行。
有益效果：本發明與現有合成方法相比具有以下的顯著優點：
(1)在合成環戊二烯基鈉的方法中，改變了反應溶劑及反應溫度，使得鈉絲可以熔融，成鈉砂均勻分布在溶劑中，同時高溫還可以使部分聚合的環戊二烯解聚，使反應基本定量進行，提高了反應產率。
(2)在二氯二茂鋯的制備中，也改變了反應溶劑，不采用文獻報道的四氫呋喃和甲苯，用四氫呋喃做溶劑，在加入四氯化鋯時由于放熱需在低溫下進行；用甲苯做溶劑，相對烷烴毒性較大；本方法采用正己烷做溶劑，降低了反應的毒性，并同時降低了反應的成本。
(3)在二氯二茂鋯的制備中，改變了文獻報道的反應溫度。反應在室溫下進行，簡化了反應的條件。
(4)在用索氏提取器提取目標產物后，先過濾提取液，可以先期除去一些不溶雜質，提高產物純度。
(1)在氮氣氣氛下解聚環戊二烯，將蒸餾得到的40-42°C環戊二烯單體收集到冰水浴冷卻的燒瓶內備用。
(2)在純氮氣氛保護下，IOOOmL三頸瓶內加入69g切成小塊的鈉絲和450mL 二乙二醇二甲醚，機械攪拌，慢慢加熱至120-160°C，待鈉完全熔化呈鈉砂均勻分散在二乙二醇二甲醚中，將270mL新鮮制備的環戊二烯滴加到三頸瓶內，滴加完回流攪拌反應4小時，至鈉完全反應完，在氮氣保護下冷卻至室溫。
(3)將350克四氯化鋯加入到盛有500毫升正己烷的三頸瓶，在氮氣保護、機械攪拌條件下將（2)中制得的環戊二烯鈉的二乙二醇二甲醚溶液滴加到其中，滴加完室溫反應 3小時，蒸出正己燒，再蒸出二乙二醇二甲醚至干。
(4)將固體轉移到2000mL的索氏提取器中，用三氯甲烷提取8-10小時，提取液冷卻至室溫過濾，濾液分批濃縮至約IOOmL,析出大量粗品，過濾，濾餅用少量冷的三氯甲烷洗 2-3次，真空干燥，得白色晶體，產率70-75%。熔點：242-245°C。產品已經通過了核磁氫譜 [1H NMR(300MHz, CDCl3) δ :6· 414 (10Η，S)]及 ICP-MS (Zr :31· 21 % )的鑒定。