手機掃碼訪問本站
微信咨詢
PbTe是一種很好的熱電材料。采用不同的制備方法，對于其熱電性能有很大的影響。在許多的制備熱電材料的方法中，主要是通過提高材料的電導率，同時降低材料的熱導率(主要是降低材料的晶格熱導率)來提高材料的熱電性能。
與本技術(shù)相關(guān)的背景技術(shù)是以Pb粉和Te粉為原料，按化學計量比(Pb∶Te＝0.49∶0.51)混合，然后在10-3Pa以上的高真空、1200K高溫條件下燒結(jié)12小時左右。制備出的PbTe材料多為晶粒在微米量級的單晶或者多晶，熱導率的值約在2.3w/m.k，電阻率的值在10-4Ω·m量級。將這種材料用于制備熱電器件，其熱電性能較低。
本發(fā)明采用新的制備PbTe材料的方法——高壓合成方法，主要解決提高材料的熱電轉(zhuǎn)換性能這一技術(shù)問題，以利于實際應(yīng)用。PbTe材料的熱導率與它的晶粒大小有一定的關(guān)系，本發(fā)明用控制高溫高壓合成的條件，特別是壓力大小，讓PbTe材料的晶體粒度在納米量級，從而使熱導率下降、電阻率降低。
本發(fā)明的塊納米半導體PbTe材料的高壓合成方法，以鉛粉(Pb)和碲粉(Te)為原料，經(jīng)混料壓塊、組裝、高溫高壓合成、冷卻等工藝過程制得PbTe材料。所說的混料壓塊，是將鉛粉和碲粉按摩爾比1∶1進行混合，按合成腔體大小壓成塊狀。所說的組裝，是將塊狀原料裝入加熱容器中。所說的高溫高壓合成，是在高壓裝置，比如六面頂壓機上進行的，合成條件是壓力為1.0～6.0Gpa、溫度為850～1400K，保溫保壓20～40分鐘后停止加熱，再保壓3～8分鐘。所說的冷卻，是以50～200K/S的降溫速率進行冷卻。
本發(fā)明的合成實驗是在國產(chǎn)DS029B型六面頂壓機上完成的。實驗表明，合成壓力的大小是影響PbTe材料平均粒度，進而影響PbTe材料的熱導率的重要因素，最佳壓力范圍為2.5～6.0Gpa。合成溫度的大小是影響PbTe材料純度的重要因素，最佳溫度范圍為1100～1250K。冷卻時的降溫速率是影響PbTe材料粒度的主要因素，最佳降溫速率為130～200K/S。
為了保持樣品腔體溫度均勻性，組裝可以是旁熱式加熱方式；為了使合成PbTe材料及原料在制備中不被氧化，合成腔體內(nèi)可以充氬氣保護。
本發(fā)明具有合成材料性能好，生產(chǎn)成本低，便于實施等優(yōu)點。PbTe晶體生長良好，X光分析結(jié)果表明PbTe具有NaCl結(jié)構(gòu)，電子顯微鏡分析顯示，晶體顆粒大小為納米量級。合成出的PbTe熱導率的值低于1.5w/m.k，電阻率的值在10-5～10-6Ω·m量級。
將高純Pb粉與Te粉按化學劑量比(1∶1)混合，粉壓成型后，將樣品裝入高壓腔體中。組裝腔體中用石墨作加熱管，用葉臘石做絕緣管，合成壓力為4.0GPa，溫度1200K，停止加熱后樣品的冷卻速率60K/s，合成出PbTe平均晶粒尺寸為1000nm。樣品的電導率為6×10-5Ω·m，熱導率值為1.4w/m.k。