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碳化硅又稱金剛砂，純品為無色粉狀顆粒，工業品為青綠色。SiC結晶型態很多，已發現有200種晶型結構，其中主要有六角與菱形晶系(又稱α-SiC)和立方晶系(又稱β-SiC)。SiC為寬禁帶半導體(禁帶寬度>2.5eV)，具有高導熱率[可達5W/(cm·K)]、高硬度(僅次于金剛石)和高熔點等可貴特性，
它分為人工合成碳化硅和天然碳化硅。天然碳化硅稱為碳硅石，主要賦存于金伯利巖及火山角閃巖中，但其量甚少，無開采價值。碳化硅是由美國工程師艾奇遜(E.G.Acheson)在1891年電熔金剛石時偶然發現的一種碳化物。當時誤認為是和剛玉的化合物，取名金剛砂。1893年，艾奇遜研究出制造碳化硅的工業方法，以炭質材料為爐芯的電阻爐，通電加熱SiO2和炭的混合物，反應生成碳化硅的專利方法(美國專利492767號)。工業用碳化硅為人造碳化硅，SiC含量為95%～99.5%，常含少量的游離碳，以及Fe2O3、Si和SiO2等雜質。碳化硅按結晶類型可分為六方晶系(α-SiC)和立方晶系(β-SiC)，六方晶系又因其結晶排列的周期性不同有六方晶胞的晶型(2H、4H、6H……等)和菱形晶胞的晶型(15R、21R、27R……等)，碳化硅的同質多晶結構有100多種。工業碳化硅為α-SiC和β-SiC的混合物，顏色有黑色和綠色兩種。純凈的碳化硅為無色透明，含雜質時呈黑色、綠色、藍色及黃色。
碳化硅的工業制法是用優質石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。將焦碳與石英料混合加熱至2100℃以上可制備粉粒狀SiC，2200℃以上發生升華，用升華生長技術可制備SiC單晶，用籽晶一升華生長技術可制備大幾何尺寸的高質量單晶，用化學氣相沉積等薄膜技術可制備SiC外延薄膜。
目前，綠色碳化硅采用濕法球磨，都要要產生大量的含綠碳化硅微粉的鐵料，這種鐵料中含綠碳化硅微粉的量通常要達到50%以上。每噸鐵料所含的碳化硅微粉價值超過六千元，而鐵料的價格每噸只能買到150元，原因是鐵含量太低。所以，須從其中將有價值的碳化硅微粉提出來，這樣也能夠提高鐵料的鐵含量。
提供一種從研磨鐵料中深度提取碳化硅微粉的裝置，本實用新型有效解決了現有綠色碳化硅采用濕法球磨，鐵料中含綠碳化硅微粉的量 通常要達到50%以上，從而造成資源的浪費問題。實用新型專利CN201720783835.8提供一種從研磨鐵料中深度提取碳化硅微粉的裝置，其特征在于：所述裝置包括鐵料攪拌裝置、防鐵料沉淀裝置、分料裝置以及碳化硅微粉沉淀水池（8），鐵料攪拌裝置通過鐵料漿循環泵（17）經鐵料漿循環管路（1）進入鐵料攪拌裝置，鐵料攪拌裝置經鐵料漿導流斜 板（4）進入分料裝置，分料裝置分別通過碳化硅料漿接料漏斗（7）、鐵料接料漏斗（14）與碳化硅微粉沉淀水池（8）、鐵料攪拌桶（16）連接。本實用新型與現有技術相比，具有以下明顯優點：本實用新型采用通過攪拌、防沉淀、篩選等裝置實現了碳化硅微粉與鐵料的循環分離，從而得到純度更高的碳化硅微粉、鐵料，不但提升了碳化硅微粉提取率，而且實現了更大的經濟價值。
在民用與國防電子、電工和機械方面都有越來越重要的應用價值。粉粒狀SiC，用于機械研磨與切割；用粉粒SiC分別混和不同的添加成份、經干壓成型和高溫燒結可制成高溫耐熱陶瓷與電—熱元件；在還原氣氛中燒結的SiC陶瓷，具有晶界隧道效應，可制成電壓敏元件，用于電路中的瞬態過電壓抑制；N型SiC粉粒與有機漆混合可用于抑制大型電機線棒端部電暈放電。SiC材料具有優良的導熱特性，是用作大功率電子器件與集成電路的理想導熱絕緣襯復材料，大尺寸SiC單晶及其元素摻雜技術的成功，已使SiC成為發展可在250℃高溫下工作的功率電子和微電子器件的新型半導體材料。不同類型SiC的發光波段可覆蓋整個可見光與紫外光范圍，因而，又是制造各種發光器件的重要材料。
[1] 中國電力百科全書·電工技術基礎卷
[2] 中國冶金百科全書·耐火材料
[3] CN201720783835.8 一種從研磨鐵料中深度提取碳化硅微粉的裝置