409-21-2 / GE公司在紐約州建立碳化硅封裝中心

[據化合物半導體網站2015年8月21日報道] 紐約州州長安德魯·科莫已宣布，通用電氣（GE）全球研發中心將作為紐約州立大學納米科學與工程理工學院計算機芯片商業化中心（QUAD C）的主要租戶。GE公司攜手紐約州立大學，將建立美國首個基于GE公司碳化硅技術的功率電子制造中心。

GE公司高級副總裁兼首席技術官馬克·利特表示，“與紐約州和位于奧爾巴尼的紐約州立大學理工學院，到目前的尤蒂卡一起，我們正在創造一個碳化硅通道，成為功率電子下一次革命的中心。在尤蒂卡，它將重點從計算機芯片商業化擴展到創建美國首個基于GE公司碳化硅技術的功率電子制造中心”。

此外，科莫透漏，模擬半導體和傳感器公司AMS AG公司將投資20億美元，支持尖端的，36萬英尺，200/300納米晶圓制造設施，以制造模擬芯片。

這些公-私合作關系標志著美政府15億美元納米尤蒂卡倡議下一階段的啟動。

先進的封裝技術對更快、更強大的計算機芯片發展，以及用于功率電子領域的碳化硅芯片至關重要。封裝設施是紐約功率電子制造協會的重要組成部分，該協會是由政府資助5億美元支持的公私半導體研究合作伙伴關系，包括100多家企業。協會位于紐約州立大學Poly Megaplex大樓中，領導者包括GE公司和IBM公司，正在推動整個紐約州北部材料領域協調和創造就業。

QUAD C的擴展包括先進的潔凈室、實驗室、動手教育和勞動力培訓設施，以及面積25.3萬平方英尺的綜合辦公室。該潔凈室將是美國首個兩層的5.6萬平方英尺的潔凈室，比最初計劃的面積大5倍。

按照紐約州長創新驅動的經濟發展模式，公共資金將不會提供給私人公司。紐約州將為QUAD C和Marcy納米中心投資2.5億美元，以支持關鍵設備和基礎設施的改善。美國政府將擁有這些設施，并紐約州立大學Poly來管理這些設施。這些國家投資將推動莫霍克谷高技術經濟生態系統，吸引更多的納米技術領域就業機會和供應鏈企業，以支持和促進納米尤蒂卡倡議。（工業和信息化部電子科學技術情報研究所 宋文文）

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碳化硅是由硅與碳元素以共價鍵結合的非金屬碳化物，硬度僅次于金剛石和碳化硼。化學式為SiC。無色晶體，表面氧化或含雜質時呈藍黑色。具有金剛石結構的碳化硅變體俗稱金剛砂。金剛砂的硬度接近金剛石，熱穩定性好，2127℃時由β-碳化硅轉變成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃仍然穩定。對氫氟酸水溶液和濃硫酸穩定，對濃氫氟酸與硝酸的混合酸或磷酸則不穩定。在空氣氛中被熔融的堿分解。它分為人工合成碳化硅和天然碳化硅。天然碳化硅稱為碳硅石，主要賦存于金伯利巖及火山角閃巖中，但其量甚少，無開采價值。

信息來源：中國國防科技信息網。